Административный корпус ИФП СО РАН, комната 116.

8 (383) 333-34-74.

nbp@isp.nsc.ru

 Музей науки и технологий ИФП СО РАН основан в 1994 году. Директор института академик  Александр Леонидович Асеев, с 2008 г. он является председателем Президиума СО РАН. Руководит музеем ученый секретарь Института по выставочной и рекламной работе к.ф.-м..н Николай Борисович Придачин. 
Адрес Института: РОССИЯ, 630090, г. Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13, тел. 7(383) 333-34-74, факс: 7(383) 333-27-71, e-mail: nbp@isp.nsc.ru. 
Web-site Института http://www.isp.nsc.ru/newface.
 
Музей науки и технологий задуман был как центр  информационного обеспечения и широкой пропаганды основных направлений деятельности Института физики полупроводников СО РАН. В Институте наибольшее развитие получили следующие направления исследований: 
-физика полупроводниковых систем понижения размерности и квантовых систем,
-полупроводниковая фотоэлектроника,
-материаловедение кремния и структур на его основе .
На основе полученных фундаментальных результатов в Институте осуществлены разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов, квантовых интерферометров, нанотранзисторов. Многолетние усилия Института по разработке и созданию оборудования молекулярно-лучевой эпитаксии и обеспечению современными диагностическими системами стали основой развития нанотехнологии для полупроводниковой электроники нового поколения. 
 Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук создан в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР. В Музее история Института кратко представлена биографическими сведениями его трех директоров: академика А.В. Ржанова, чл.-корр. К.К. Свиташева и академика А.Л. Асеева. В экспозиции помещены некоторые награды Института: почетные грамоты и дипломы Администрации НСО, СО РАН и др. Высшим признанием заслуг Института является присуждение 2 Государственных премий СССР, 4 Государственных премий РФ, 1 Государственной премии Совета Министров СССР, 2 премий Ленинского комсомола.
Один из экспозиционных комплексов музея отражает направление исследований, связанное с материаловедением кремния и структур на его основе. Оно сформировалось в Институте в 1990-е годы и отражает ту роль, которую играет кремний в качестве важнейшего материала современной полупроводниковой электроники. В экспозиции – различного диаметра слитки кремния, полученного методом бестигельной зонной плавки.
Еще один комплекс экспозиции посвящен многообразию проводимых ИФП работ по матричным фотоприемникам, в частности по фотоприемным устройствам среднего ИК-диапазона на основе МДП-структур на арсениде индия. Разработана серия матричных тепловизорных устройств для разнообразных применений. Одним из них является  диагностический тепловизор, применяемый в практике лечебных учреждений. Тепловизорное обследование незаменимо для диагностики на ранних стадиях (до рентгенологических проявлений, а в некоторых случаях задолго до появления жалоб больного) опухолевых, воспалительных заболеваний, остеохондроза, варикоза и т.д.
Экспозиция музея отражает недавно полученные в Институте результаты исследований полупроводниковых фотокадодов, чувствительных в ультрафиолетовой области спектра. На основе фундаментальных и прикладных исследований, ведущихся в Институте (лаборатория д.ф.-.м.н. А.С. Терехова), на предприятиях г. Новосибирска производятся новейшие образцы техники ночного видения. 
В экспозиции находится макет установки молекулярно-лучевой эпитаксии. Создание в Институте современной технологии МЛЭ (А.В. Ржанов, К.К. Свиташев, С.И. Стенин и др.) явилось одним из важнейших достижений. Результаты этих работ являются основой надежд на быстрое продвижение высоких технологий в России. В кооперации с Российским авиационно-космическим агентством планируется размещение МЛЭ технологии в космическом пространстве.
В настоящее время Институт является исследовательским центром с широким фронтом деятельности в области современной физики полупроводников, физики конденсированного состояния, в развитии научных основ технологий полупроводниковой микро-, опто-, нано- и акустоэлектроники, информационных технологий и квантовой электроники. Задачи Музея ИФП СО РАН в оказании информационной поддержки деятельности Института постоянно расширяются. 
 
Литература
 
1. 40 лет Институту физики полупроводников Сибирского отделения РАН. Новосибирск, 2004. 375 с.
2. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Научные результаты института за 2008 г. Новосибирск, 2009. 85 с.
 
 
ПАСПОРТ
 
1. Название института:  Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
2. Директор института: академик РАН Александр Леонидович Асеев
3. Руководитель подразделения, занимающегося музейной деятельностью (ФИО, уч. степень, должность): Придачин Николай Борисович к.ф.-м.н. , ст.н.с., главный специалист по выставочной работе.
4. Адрес юридический: РФ. 630090. Новосибирс-90, пр. Лаврентьева, 13.
5. Тел./факс/e-mail института:
Тел.: 333-39-50
Факс: 333-27-71
E-mail: ifp@isp.nsc.ru
6. Тел./факс/e-mail руководителя музейного подразделения:
Тел.: 333-34-74
E-mail: nbp@isp.nsc.ru
7. Реквизиты организации: полные реквизиты института на сайте: www.isp.nsc.ru
8. Документы, на основании которых создан музей -
9. Структурное подразделение института, занимающееся музейной деятельностью:   
10. Количество сотрудников         1     , в т.ч. докторов наук         -       , кандидатов наук         1       .    
(Приложение №2: персональный список с указанием должностей и ученых степеней, стажа работы в музее). Работаю по выставочной деятельности с 1975 года.
11. Место расположения музея: Административный корпус ИФП СО РАН комната 116.  
Общая площадь музея:  44 квадратных метров. 
12. Основное направление и структура экспозиции: залы, разделы, темы, комплексы (названия – Приложение №3).
13. Научно-исследовательская работа:
·       Количество грантов:  2009 -1  2010 – 1. 
·       Число научных публикаций: 2009 – 2. 2010 – 1.
·       Создание новых экспозиций: 2009 – 5. 2010 – 3.
·       Выставок: 2009 – 10. 2010 – 11.
Участие/организация научных, научно-практических конференций 2009, 2010
14. Научно-фондовая работа:
Количество единиц хранения в фондаx музея: 2009г. - 100, 2010г. – 120. 
15. Научно-просветительная работа:
Количество посетителей:    2009 - 250, 2010 – 300. 
Число лекций, экскурсий: 2009 -10, 2010 – 11. 
Число выставок: 2009 - 10, 2010 – 11. 
16. Техническая оснащенность, новые технологии:
·       Количество компьютеров в музее: ПК – 1, ЖКИ панель (диагональ 1метр) - одна.
·       Представительство в Интернет: да, через разработки института на сайте ifp@isp.nsc.ru  
·       Наличие баз данных: да. Все разработки представлены на электронных носителях и в виде рекламно-информационных баннеров. Создан видеофильм об институте. 
(Приложение №7: названия баз данных коллекций, виртуальных выставок, презентаций).
17. Международное сотрудничество (Приложение №8: выставки, совместные проекты, членство в ИКОМ).
18. Формы и объемы финансирования музейного подразделения из фонда  Президиума СО РАН «Поддержка музеев»:    2009 -50000 руб. , 2010 – 100000 руб.
Из средств института:  2009 -  60 тыс. руб. 2010 – 120 тыс. руб. (в основном командировочные и изготовление рекламно информационных баннеров).
Другие: 2009, 2010 нет
19. Количество публикаций (СМИ, научные издания, интернет) 2009 - 2, 2010 – 4.